Wykaz publikacji wybranego autora

Piotr Wiśniowski, dr hab. inż., prof. AGH

profesor nadzwyczajny

Wydział Informatyki, Elektroniki i Telekomunikacji
WIEiT-ke, Instytut Elektroniki


  • 2023

    [dyscyplina 1] dziedzina nauk inżynieryjno-technicznych / automatyka, elektronika, elektrotechnika i technologie kosmiczne


  • 2018

    [dyscyplina 1] dziedzina nauk inżynieryjno-technicznych / automatyka, elektronika i elektrotechnika


[poprzednia klasyfikacja] obszar nauk technicznych / dziedzina nauk technicznych / elektronika


Identyfikatory Autora Informacje o Autorze w systemach zewnętrznych

ORCID: 0000-0002-7995-7416 orcid iD

ResearcherID: E-3288-2010

Scopus: 24462701800

PBN: 5e70922c878c28a047391227

OPI Nauka Polska

System Informacyjny AGH (SkOs)




1
  • Analiza strukturalna wielowarstw na przykładzie magnetycznych złącz tunelowych
2
  • Antiferromagnetic coupling in CoFeB/Ru/CoFeB prepared by sputtering and ion beam deposition
3
  • Bottom type MTJ – magnetization switching properties and domain structure
4
  • Cienkowarstwowe magnetyczne złącza tunelowe i ich zastosowania
5
  • Co nowego w spintronice?
6
  • Crystallization of CoFeB electrodes in magnetic tunnel junctions
7
  • Current induced magnetization switching in magnetic tunnel junctions with perpendicular magnetic anisotropy
8
  • Displacement detection and measurements for human activity recognition using magnetic field sensor
9
  • Elektronika spinowa
10
  • High frequency current sensors based on MTJ with perpendicular anisotropy
11
  • Influence of annealing on crystallization and magnetic properties of spin valve ${MgO}$ based tunnel magnetoresistance junctions
12
  • Influence of seed-buffer layers on bias and temperature dependence of dynamic conductance of $IrMn$ spin valve MTJ
13
  • Instrukcje do ćwiczeń laboratoryjnych
14
  • Magnetic field sensing properties of tunnel magnetoresistance devices with perpendicular anisotropy
15
  • Magnetic field sensor based on magnetic tunnel junction with voltage tunable magnetic anisotropy
16
  • Magnetic field sensor based on magnetic tunnel junction with voltage-tunable magnetic anisotropy
17
  • Magnetic tunnel junction for spin-electronics applications
18
  • Magnetic tunnel junctions and their applications
19
  • Magnetization switching and domains in MTJ
20
  • MTJ – Magnetic Tunnel Junction
21
  • Noise and magnetic field detection of tunneling magnetoresistance sensors with perpendicular anisotropy
22
  • Spin diode effect in GMR strips with various interlayer coupling for broadband signals detection
23
  • Spin transfer torque in magnetic tunnel junction for spintronics applications
24
  • Spintronika w nowoczesnych urządzeniach elektronicznych
25
  • Temperature dependence of tunnel magnetoresistance of IrMn based MTJ