Wykaz publikacji wybranego autora

Piotr Wiśniowski, dr hab. inż., prof. AGH

profesor nadzwyczajny

Wydział Informatyki, Elektroniki i Telekomunikacji
WIEiT-ke, Instytut Elektroniki


  • 2023

    [dyscyplina 1] dziedzina nauk inżynieryjno-technicznych / automatyka, elektronika, elektrotechnika i technologie kosmiczne


  • 2018

    [dyscyplina 1] dziedzina nauk inżynieryjno-technicznych / automatyka, elektronika i elektrotechnika


[poprzednia klasyfikacja] obszar nauk technicznych / dziedzina nauk technicznych / elektronika


Identyfikatory Autora Informacje o Autorze w systemach zewnętrznych

ORCID: 0000-0002-7995-7416 orcid iD

ResearcherID: E-3288-2010

Scopus: 24462701800

PBN: 5e70922c878c28a047391227

OPI Nauka Polska

System Informacyjny AGH (SkOs)



Statystyka obejmuje publikacje afiliowane AGH od 2008 roku włącznie

typ publikacji
rocznikl. publ.książkifragm.referatyartykułypatentymapyred. czas.inne
ogółem86114539
2023211
202211
2021312
201911
201811
2017321
2016743
20151156
2014862
2013743
2012725
2011431
201061122
2009523
2008651
2006312
200511
2004734
200311
200222
język publikacji
rocznikrazempolskojęzyczneanglojęzycznepozostałe języki
ogółem861175
2023211
202211
202133
201911
201811
201733
2016716
20151111
201488
2013725
201277
2011413
2010624
2009523
2008615
2006312
200511
200477
200311
200222
kraj wydania
rocznikrazempubl. krajowepubl. zagraniczne
ogółem862957
2023211
202211
2021312
201911
201811
201733
2016716
20151138
2014835
2013725
201277
2011413
2010633
2009523
2008642
2006321
200511
2004752
200311
200222
Lista Filadelfijska
rocznikrazempubl. z LFpubl. pozostałe
ogółem863452
2023211
202211
2021321
201911
201811
2017312
2016734
20151165
2014826
2013734
2012743
2011413
2010624
2009532
2008615
2006312
200511
2004716
200311
200222
punktacja MNiSW
rocznikrazempubl. z pkt. MNiSWpubl. pozostałe
ogółem863254
2023211
202211
2021321
201911
201811
2017312
2016734
20151165
2014826
2013734
2012752
2011413
2010624
2009532
2008615
200633
200511
200477
200311
200222
publikacje recenzowane
rocznikrazempubl. recenzowanepubl. nierecenzowane
ogółem864442
202322
202211
2021321
201911
201811
2017312
2016734
20151174
2014826
2013734
2012752
2011413
2010642
2009541
2008624
2006321
200511
2004725
200311
200222



1
  • 1/f magnetic noise dependence on free layer thickness in hysteresis free MgO magnetic tunnel junctions
2
  • 1/f magnetic noise in MgO/CoFeB based sensors with voltage controlled perpendicular anisotropy
3
  • Analiza strukturalna wielowarstw na przykładzie magnetycznych złącz tunelowych
4
  • Antiferromagnetic coupling in CoFeB/Ru/CoFeB prepared by sputtering and ion beam deposition
5
  • Bias voltage dependence of sensing characteristics in tunneling magnetoresistance sensors
6
  • Bias voltage dependence of sensitivity in tunneling magnetoresistance sensors with voltage controlled magnetic anisotropy
7
  • Bottom type MTJ – magnetization switching properties and domain structure
8
  • Broadband microwave detector based on GMR-SV with varying interlayer exchange coupling
9
  • Cienkowarstwowe magnetyczne złącza tunelowe i ich zastosowania
10
  • Co nowego w spintronice?
11
12
  • Crystallization of CoFeB electrodes in magnetic tunnel junctions
13
  • Current induced magnetization switching in magnetic tunnel junctions with perpendicular magnetic anisotropy
14
  • Dependence of sensitivity, derivative of transfer curve and current on bias voltage magnitude and polarity in tunneling magnetoresistance sensors
15
  • Displacement detection and measurements for human activity recognition using magnetic field sensor
16
  • Dynamic properties of MgO/CoFeB based sensors with perpendicular anisotropy
17
18
  • Effect of bias voltage on field detection of CoFeB/MgO/CoFeB sensors with low and high sensitivity
19
  • Effect of bias voltage on sensitivity-bandwidth product of single and series connected tunneling magnetoresistance sensors
20
  • Effect of buffer layer texture on the crystallization of $CoFeB$ and on the tunnel magnetoresistance in MgO based magnetic tunnel junctions
21
  • Effect of $CoFeB$ electrode compositions on low frequency magnetic noise in tunneling magnetoresistance sensors
22
  • Effect of electrode composition on low frequency magnetic noise in MgO/CoFeB sensors with perpendicular anisotropy
23
  • Effect of MgO thickness and bias voltage polarity on frequency response of tunneling magnetoresistance sensors with perpendicular anisotropy
24
25
  • Effect of perpendicular anisotropy strength on low frequency magnetic noise and field detection in MgO/CoFeB based sensors