Wykaz publikacji wybranego autora

Wiesław Powroźnik, mgr

specjalista

Wydział Informatyki, Elektroniki i Telekomunikacji
WIEiT-ke, Instytut Elektroniki

  • 2023

    [dyscyplina 1] dziedzina nauk inżynieryjno-technicznych / automatyka, elektronika, elektrotechnika i technologie kosmiczne

  • 2018

    [dyscyplina 1] dziedzina nauk inżynieryjno-technicznych / automatyka, elektronika i elektrotechnika

[poprzednia klasyfikacja] obszar nauk technicznych / dziedzina nauk technicznych / elektronika

Identyfikatory Autora Informacje o Autorze w systemach zewnętrznych

ORCID: 0000-0003-2235-8209 orcid iD

ResearcherID: brak

Scopus: 6603031317

PBN: 5e7094cb878c28a0473c3ee3

System Informacyjny AGH (SkOs)

1
  • 128 [Hundred twenty eight]-channel silicon strip detector implemented in a powder diffractometer
2
  • Analiza strukturalna wielowarstw na przykładzie magnetycznych złącz tunelowych
3
  • Analiza wpływu warstw buforowych na szorstkość i własności magnetyczne złącz tunelowych z użyciem mikroskopii AFM oraz MFM
4
  • Antiferromagnetic coupling in CoFeB/Ru/CoFeB prepared by sputtering and ion beam deposition
5
  • Application of Grazing Incidence X-Ray Analysis (GIXA) for multilayer systems
6
  • Application of position-sensitive silicon strip detector for X-ray diffraction of thin films and multilayers
7
  • Application of silicon strip detector for X-ray diffraction on metallic multilayer systems
8
  • Buffer influence on magnetic dead layer, critical current and thermal stability in magnetic tunnel junctions with perpendicular magnetic anisotropy
9
  • Cienkowarstwowe stopy Cu-In wytwarzane technologią impulsowego rozpylania magnetronowego
10
  • Co nowego w spintronice?
11
  • Crystallization of CoFeB electrodes in magnetic tunnel junctions
12
  • Current induced magnetization field free switching in exchange biased Pt(W)/Co/NiO heterostructures
13
  • Current induced magnetization field free switching in exchange biased Pt(W)/Co/NiO heterostructures
14
  • Current induced magnetization switching in magnetic tunnel junctions with perpendicular magnetic anisotropy
15
  • Current-induced magnetization switching of exchange-biased NiO heterostructures characterized by spin-orbit torque
16
  • Current-induced magnetization switching of exchange-biased NiO heterostructures characterized by spin-orbit torque
17
  • Field-free spin-orbit torque-induced magnetization switching and spin hall magnetoresistance in exchange-biased W/Co/NiO system
18
  • In situ x-ray diffraction study of $CoFeB/MgO/CoFeB$ based P-SV and EB-SV magnetic tunnel junctions
19
  • Influence of annealing on crystallization and magnetic properties of spin valve ${MgO}$ based tunnel magnetoresistance junctions
20
  • Influence of $PtMn$ texture on exchange biased SAF structure with ultrathin $Ru$ spacer
21
  • Influence of Ta buffer layer thickness on magnetic properties and microstructure parameters of CoFeB and MgO layers
22
  • Influence of the texture and roughness on electrical and magnetic properties of spin valve magnetic tunnel junctions with ${Al-O}$ and ${MgO}$ barrier
23
  • Krzemowy detektor paskowy promieniowania X i jego zastosowania w dyfraktometrii
24
  • Low resistance magnetic tunnel junctions with MgO wedge barrier
25
  • Magnetic parameters of diluted magnetic semiconductors $CdCr_{2-2x}In_{2x}Se_{4}$