Wykaz publikacji wybranego autora

Wiesław Powroźnik, mgr

specjalista

Wydział Informatyki, Elektroniki i Telekomunikacji
WIEiT-ke, Instytut Elektroniki

  • 2023

    [dyscyplina 1] dziedzina nauk inżynieryjno-technicznych / automatyka, elektronika, elektrotechnika i technologie kosmiczne

  • 2018

    [dyscyplina 1] dziedzina nauk inżynieryjno-technicznych / automatyka, elektronika i elektrotechnika

[poprzednia klasyfikacja] obszar nauk technicznych / dziedzina nauk technicznych / elektronika

Identyfikatory Autora Informacje o Autorze w systemach zewnętrznych

ORCID: 0000-0003-2235-8209 orcid iD

ResearcherID: brak

Scopus: 6603031317

PBN: 5e7094cb878c28a0473c3ee3

System Informacyjny AGH (SkOs)

1
  • Analiza strukturalna wielowarstw na przykładzie magnetycznych złącz tunelowych
2
  • Analiza wpływu warstw buforowych na szorstkość i własności magnetyczne złącz tunelowych z użyciem mikroskopii AFM oraz MFM
3
  • Antiferromagnetic coupling in CoFeB/Ru/CoFeB prepared by sputtering and ion beam deposition
4
  • Application of Grazing Incidence X-Ray Analysis (GIXA) for multilayer systems
5
  • Application of position-sensitive silicon strip detector for X-ray diffraction of thin films and multilayers
6
  • Application of silicon strip detector for X-ray diffraction on metallic multilayer systems
7
  • Application of silicon strip detector for X-ray diffraction on metallic multilayers
8
  • Buffer influence on magnetic dead layer, critical current and thermal stability in magnetic tunnel junctions with perpendicular magnetic anisotropy
9
  • Cienkowarstwowe stopy Cu-In wytwarzane technologią impulsowego rozpylania magnetronowego
10
  • Co nowego w spintronice?
11
  • Crystallization of CoFeB electrodes in magnetic tunnel junctions
12
  • Current induced magnetization switching in magnetic tunnel junctions with perpendicular magnetic anisotropy
13
  • Current-induced magnetization switching of exchange-biased $NiO$ heterostructures characterized by spin-orbit torque
14
  • Elektronika spinowa
15
  • Field-free spin-orbit torque-induced magnetization switching in exchange-biased W(Pt)/Co/NiO
16
  • Influence of annealing on crystallization and magnetic properties of spin valve ${MgO}$ based tunnel magnetoresistance junctions
17
  • Influence of $PtMn$ texture on exchange biased SAF structure with ultrathin $Ru$ spacer
18
  • Influence of Ta buffer layer thickness on magnetic properties and microstructure parameters of CoFeB and MgO layers
19
  • Influence of the texture and roughness on electrical and magnetic properties of spin valve magnetic tunnel junctions with ${Al-O}$ and ${MgO}$ barrier
20
  • Krzemowy detektor paskowy promieniowania X i jego zastosowania w dyfraktometrii
21
  • Magnetic semiconductor thin films of $CdCr_{2-2x}In_{2x}Se_{4}$ photoconductivity
22
  • Magnetic semiconductor thin films of $CdCr_{2-2x}In_{2x}Se_{4}$-photoconductivity
23
  • Magnetic tunnel junctions and their applications
24
  • Prototype silicon position-sensitive detector working with 0-20 diffractometer
25
  • Prototype silicon position-sensitive detector working with Bragg-Brentano powder diffractometer