Wykaz publikacji wybranego autora

Piotr Wiśniowski, dr hab. inż., prof. AGH

profesor nadzwyczajny

Wydział Informatyki, Elektroniki i Telekomunikacji
WIEiT-ke, Instytut Elektroniki


  • 2023

    [dyscyplina 1] dziedzina nauk inżynieryjno-technicznych / automatyka, elektronika, elektrotechnika i technologie kosmiczne


  • 2018

    [dyscyplina 1] dziedzina nauk inżynieryjno-technicznych / automatyka, elektronika i elektrotechnika


[poprzednia klasyfikacja] obszar nauk technicznych / dziedzina nauk technicznych / elektronika


Identyfikatory Autora Informacje o Autorze w systemach zewnętrznych

ORCID: 0000-0002-7995-7416 orcid iD

ResearcherID: E-3288-2010

Scopus: 24462701800

PBN: 5e70922c878c28a047391227

OPI Nauka Polska

System Informacyjny AGH (SkOs)





Liczba pozycji spełniających powyższe kryteria selekcji: 86, z ogólnej liczby 106 publikacji Autora


1
  • 1/f magnetic noise dependence on free layer thickness in hysteresis free MgO magnetic tunnel junctions
2
  • 1/f magnetic noise in MgO/CoFeB based sensors with voltage controlled perpendicular anisotropy
3
  • Analiza strukturalna wielowarstw na przykładzie magnetycznych złącz tunelowych
4
  • Antiferromagnetic coupling in CoFeB/Ru/CoFeB prepared by sputtering and ion beam deposition
5
  • Bias voltage dependence of sensing characteristics in tunneling magnetoresistance sensors
6
  • Bias voltage dependence of sensitivity in tunneling magnetoresistance sensors with voltage controlled magnetic anisotropy
7
  • Bottom type MTJ – magnetization switching properties and domain structure
8
  • Broadband microwave detector based on GMR-SV with varying interlayer exchange coupling
9
  • Cienkowarstwowe magnetyczne złącza tunelowe i ich zastosowania
10
  • Co nowego w spintronice?
11
12
  • Crystallization of CoFeB electrodes in magnetic tunnel junctions
13
  • Current induced magnetization switching in magnetic tunnel junctions with perpendicular magnetic anisotropy
14
  • Dependence of sensitivity, derivative of transfer curve and current on bias voltage magnitude and polarity in tunneling magnetoresistance sensors
15
  • Displacement detection and measurements for human activity recognition using magnetic field sensor
16
  • Dynamic properties of MgO/CoFeB based sensors with perpendicular anisotropy
17
18
  • Effect of bias voltage on field detection of CoFeB/MgO/CoFeB sensors with low and high sensitivity
19
  • Effect of bias voltage on sensitivity-bandwidth product of single and series connected tunneling magnetoresistance sensors
20
  • Effect of buffer layer texture on the crystallization of $CoFeB$ and on the tunnel magnetoresistance in MgO based magnetic tunnel junctions
21
  • Effect of $CoFeB$ electrode compositions on low frequency magnetic noise in tunneling magnetoresistance sensors
22
  • Effect of electrode composition on low frequency magnetic noise in MgO/CoFeB sensors with perpendicular anisotropy
23
  • Effect of MgO thickness and bias voltage polarity on frequency response of tunneling magnetoresistance sensors with perpendicular anisotropy
24
25
  • Effect of perpendicular anisotropy strength on low frequency magnetic noise and field detection in MgO/CoFeB based sensors