Development of monolithic active pixel sensor in SOI technology fabricated on the wafer with thick device layer / W. KUCEWICZ, B. M. Armstrong, H. S. Gamble, P. Grabiec, K. Kucharski, J. Marczewski, W. MAZIARZ, H. NIEMIEC, F. H. Ruddell, M. SAPOR, D. Tomaszewski // W: 2008 IEEE NSS/MIC/RTSD conference record [Dokument elektroniczny] : Nuclear Science Symposium (NSS) ; Medical Imaging Conference (MIC) ; 16th international workshop on Room-Temperature Semiconductor X- and Gamma-Ray Detectors (RTSD) : 19–25 October 2008 Dresden, Germany / guest ed. Paul Sellin ; Nuclear & Plasma Sciences Society, Institute of Electrical and Electronics Engineers. — Wersja do Windows. — Dane tekstowe. — [New York] : IEEE, 2008. — 1 dysk optyczny. — (IEEE conference record – Nuclear Science Symposium & Medical Imaging Conference ; ISSN 1082-3654). — e-ISBN: 978-1-4244-2715-4. — S. 1123–1125. — Wymagania systemowe: Adobe Acrobat Reader ; napęd CD-ROM. — Bibliogr. s. 1125, Abstr.

Fabrication and characterisation of high resistivity SOI substrates for monolithic high energy physics detectors / F. H. Rudell, [et al.], H. NIEMIEC, W. KUCEWICZ // Solid-State Electronics ; ISSN 0038-1101. — 2008 vol. 52 iss. 12, s. 1849–1853. — Bibliogr. s. 1853, Abstr.. — tekst: http://goo.gl/G3k4UF