Wykaz publikacji wybranego autora

Oleksander Kryshtal, dr hab., prof. AGH

Wydział Inżynierii Metali i Informatyki Przemysłowej
WIMiIP-kmm, Katedra Metaloznawstwa i Metalurgii Proszków

2018
[dyscyplina 1] dziedzina nauk inżynieryjno-technicznych / inżynieria materiałowa

Identyfikatory Autora	Informacje o Autorze w systemach zewnętrznych
ORCID: 0000-0002-6528-8821 ResearcherID: G-2094-2016 Scopus: 66024065553 PBN: 602b70c09543c7410626dd44	OPI Nauka Polska System Informacyjny AGH (SkOs)

Identyfikatory Autora

Informacje o Autorze w systemach zewnętrznych

ORCID: 0000-0002-6528-8821 orcid iD

ResearcherID: G-2094-2016

Scopus: 66024065553

PBN: 602b70c09543c7410626dd44

sortowanie:

1

Effect of size on phase transformation temperatures in Ge/Bi/Ge films / A. A. Minenkov, A. P. KRYSHTAL, S. I. Bogatyrenko // Journal of Alloys and Compounds ; ISSN 0925-8388. — 2018 vol. 756, s. 50–56. — Bibliogr. s. 56, Abstr.. — Publikacja dostępna online od: 2018-05-04. — tekst: https://www-1sciencedirect-1com-1000027mw00e8.wbg2.bg.agh.edu.pl/science/article/pii/S0925838818316785/pdfft?md5=5450d3ada2b38b7eafeedabadaa954b4&pid=1-s2.0-S0925838818316785-main.pdf
- słowa kluczowe
- DOI
keywords: phase transformations, multi-layer thin films, in situ TEM, size effect, Bi-Ge, metal induced crystallization for semiconductors, interphase interactions, eutectic temperature

cyfrowy identyfikator dokumentu: 10.1016/j.jallcom.2018.04.335

2

Supercooling under crystallization of Bi-Sn eutectic alloy in contact with Bi, Sn and amorphous C / S. I. Bogatyrenko, A. A. Minenkov, A. P. KRYSHTAL // Vacuum : Surface Engineering, Surface Instrumentation & Vacuum Technology ; ISSN 0042-207X. — 2018 vol. 152, s. 1–7. — Bibliogr. s. 6–7, Abstr.. — Publikacja dostępna online od: 2018-03-02. — tekst: https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0042207X17314847/pdfft?md5=982ad3038dc1ee0da2b501999ab29f8f&pid=1-s2.0-S0042207X17314847-main.pdf
- słowa kluczowe
- DOI
keywords: thin films, crystallization, melting, eutectic alloy, quartz resonator, Bi-Sn

cyfrowy identyfikator dokumentu: 10.1016/j.vacuum.2018.02.039